无压烧结碳化硅陶瓷
  • 回顾2021年国内外碳化硅产业重大事件
来源:kaiyun官方网站    发布时间:2024-02-03 15:13:14
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  材料,均已被列入十四五发展规划纲要。碳化硅与氮化镓相比,碳化硅的耐压等级更高,可使用的平台也更广。尤其是在

  在此岁末年初之际,让我们共同回顾2021国内外碳化硅产业发生的重大事件。

  天岳先进是国内碳化硅衬底领域的领军企业,据Yole统计,天岳先进在2019、2020年连续跻身半绝缘型碳化硅衬底市场的世界前三,在衬底材料与产能方面均实现了自主可控。

  2021年5月,获得哈勃投资的天岳先进正式向上交所提交了科创板IPO申请。9月,天岳先进科创板IPO成功过会。今年1月21日,正式登陆科创板成功上市。

  从2018至2020的营收与净利润来看,天岳先进的营收成逐年递增的发展形态趋势,甚至在2019年实现了翻倍式的增长,但净利润却出现了连年亏损,净利润由2018年的-0.43亿元扩大到2020年的-6.42亿元。

  尽管如此,得益于碳化硅产业的大热,以及碳化硅功率器件在电机驱动系统和快速充电站中高效、高功率密度的表现。在天岳先进披露的认购名单中出现了广汽资本的广祺柒号、上汽集团、小鹏汽车等众多车企的身影,甚至吸引来了新加坡最大的国际投资机构(新加坡政府投资公司)的垂爱。上市首日股价上涨了3.27%,市值367.40亿元。

  经过多年的研发,以及长时间的产品验证,博世已经具备了碳化硅芯片大规模量产的能力,2021年12月,博世通过官网宣布正式开启碳化硅芯片的大规模量产计划。其实,博世在2021年初就已经生产并为特定用户更好的提供用于验证的碳化硅芯片,也因此获得了大量碳化硅芯片订单。据博世官方表示,目前慢慢的开始着手于研发能够很好的满足更高功率密度应用的第二代碳化硅功率器件,预计将会在2022年实现量产。

  碳化硅功率器件在新能源汽车领域应用的优势愈发明显,市场需求不断攀升,博世于2021年开始增建1000平方米的200mm晶圆生产无尘车间,意图通过大尺寸晶圆,提升同一生产周期内芯片的生产数量,增加产能。该生产车间已于去年9月实现投产,200mm晶圆产能提升10%。预计到2023年底,博世还会新建一个3000平方米的无尘生产车间,持续扩大博世碳化硅功率器件的产能。

  近年来芯片短缺的问题限制了众多产业的发展,提高产能已成为了上游芯片厂商的主要目标。2021年7月,ST宣布位于瑞典北雪平的200mm晶圆工厂,成功下线mm晶圆在可用面积上提升近一倍,这也就从另一方面代表着,ST的碳化硅芯片产能也得到了进一步扩大。

  在产品良率方面,凭借着ST在碳化硅领域多年的经验积累,很好地规避了碳化硅硬度高且脆而带来高制备损耗的问题,ST的首批200mm碳化硅晶圆良率极高,芯片合格数量达到了150mm碳化硅晶圆的1.8 - 1.9 倍,随着产能的扩大,ST的市场经济效益也会得到进一步的提升。

  汽车电气化的快速普及,功率器件成为最大的受益者,作为高效、高压代表碳化的硅功率器件市场需求异常旺盛。2021年12月,国内碳化硅公司基本半导体传来好消息,基本半导于无锡市的车规级碳化硅功率模块产线正式开通,也迎来了首批碳化硅功率模块的下线。

  据悉,这是国内首条车规级碳化硅功率模块专用生产线。为满足车规级碳化硅功率器件的生产规格要求和提升产品的品质与性能,基本半导体为该产线导入了车规级碳化硅专用的封装设备,实现了功率模块在常规使用的寿命、电流流通量、散热性能的大幅度提升。同时该产线还是一条数字化、智能化的生产线,通过全自动化的生产流程,逐步提升了碳化硅功率模块的生产效率与一致性。

  该产线月开始小批量的试生产,年中实现产能交付,首年碳化硅功率模块计划产能在25万只左右,预计将会在2025年之前完成年产能150万只的目标。基本半导体的前瞻部署,有利于缓解车规级芯片紧缺的问题,助力“双碳”目标的实现。

  据韩媒报道,2021年12月韩国最大的无晶圆半导体制造商LX Semicon收购了LG Innotek包括碳化硅晶圆、器件生产设备和芯片、晶圆制造方法及外延片的相关专利,并完成了资产转让合同的签署。

  自2019年开始,LG Innotek的碳化硅业务一直被作为国家级的产业项目发展,因此LG Innotek在碳化硅生产、制备技术方面有一定的经验积累。LX Semicon同属于LG集团的控股公司,LCD驱动芯片为该公司的主要营收来源,受韩国国内LCD市场动荡影响,LX Semicon危机感十足。为摆脱这一僵局,LX Semicon试图通过布局SiC半导体市场获得新的营收增长。对收购LG Innotek SiC资产后的商业计划,LX Semicon相关负责人称“是为了强化碳化硅半导体研发”

  积塔半导体是一家专注于模拟电路与功率器件生产的基本工艺研发与制造的企业,生产的产品实现了汽车电子工业控制电源管理、智能终端等多领域的覆盖。

  11月30日,积塔半导体对外宣称已完成了80亿人民币战略融资,本轮融资吸引了上汽集团旗下尚颀资本、汇川技术、创维投资、小米长江基金等资本的支持。据积塔半导体表示,该轮融资大多数都用在车规级电源管理芯片、IGBT和碳化硅功率器件等方向的研发,逐步提升积塔半导体在汽车电子领域的产能,进一步巩固积塔半导体在车规级芯片领域的制造优势,缓解目前汽车芯片产能的困境。

  同时,积塔半导体在临港芯片区的6英寸碳化硅产线年顺利投产,月产能可达5000片。

  三安半导体:国内首条碳化硅垂直整合生产线英寸碳化硅产线点亮投产,该产线是国内首条碳化硅垂直整合生产线,提供从衬底、外延、晶圆代工、裸芯粒直至分立器件的灵活多元合作方式,该产线的建成能够让三安半导体在碳化硅领域,充分保证产品的优质性和交付的时效性。加速了上游Fabless芯片设计企业的产品验证与迭代,缩短了下游终端产品的上市周期。有利于推动我们国家碳化硅的产业规模化发展。

  2021年10月,CREE正式更名Wolfspeed,并于10月4日在纳斯达克交易所将原本的“CREE”股票代号更换为“WOLF”。

  10月8日,Wolfspeed官方发布的推文中提到,Wolfspeed经历了4年的产业转型,最终剥离了原先占比近2/3的业务,并将碳化硅作为公司战略发展的核心。Wolfspeed这一名字在该公司的碳化硅产品中已经延续使用六年,此次更名也代表着Wolfspeed将会更加专注碳化硅技术的研发。在正式更名当天,Wolfspeed还与通用汽车达成了碳化硅战略供应协议,为通用汽车提供更节能的碳化硅产品,延长电动汽车的续航能力,推动新能源汽车产业的发展。

  Wolfspeed在碳化硅领域有着垂直一体化的产业布局,其中碳化硅衬底占据市场总额的60%。据Wolfspeed披露,该公司位于MohawkValley的全球最大8英寸碳化硅晶圆厂有望在今年实现量产,届时产能的释放有望能够缓解SiC功率器件市场规模持续扩张的问题,加速碳化硅在新能源汽车领域的渗透。

  就成立合资公司达成协议,全力发展碳化硅2021年10月,正海集团与功率半导体有突出贡献的公司正式签署合资协议,根据协议规定,正海集团和罗姆半导体将会合资成立上海海姆希科半导体有限公司,在股权出资方面正海集团出资80%、罗姆出资20%,正海集团由100%控股权。

  据介绍,海姆希科主营业务为新能源汽车碳化硅功率模块业务,包括产品的开发、设计、制造和销售。罗姆与正海集团的合作,主要是为了将罗姆在碳化硅领域芯片与模块的先进工艺与正海集团在

  领域额开发技术进行整合,致力于开发出更高效车用碳化硅模块,力争在碳化硅功率模块领域成为中国第一。据电子发烧友网获悉,海姆希科新开发的碳化硅功率模块已获得新能源车企应用于高端车型的订单。在产能方面,海姆希科的碳化硅功率模块前期将会在罗姆的日本工厂进行小批量的生产,到2023年交由上海闵行工厂开始大批量生产。

  斥4.15亿美元收购GTAT2021年8月 ,安森美与GTAT达成最终协议,安森美将以4.15亿美元收购GTAT,延伸安森美的碳化硅版图,该收购项目预计将于2022年上半年完成。

  GTAT是碳化硅的主要供应商,在制造碳化硅和蓝宝石材料,以及碳化硅晶体生长方面有用着丰富的经验积累。此次收购对于安森美而言是一次战略性垂直整合,安森美在收购GTAT之前,大部分用于芯片生产的碳化硅晶圆均由外部采购而来,完成收购后,安森美不会再因供应链产能紧张的问题而影响产品的交付。充足的资源平台,逐步推动了安森美在碳化硅领域的差异化和领先地位。

  同时,安森美还计划加大GATA在碳化硅领域的研发力度,进而推进150mm和200mm SiC晶体生长技术,扩大碳化硅产能,尽可能地降低安森美发展碳化硅受到的产能限制。

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  衬底上6英寸衬底的量产以及8英寸衬底的研发进度大幅拉近了与海外领先玩家的差距,另一方面是产能扩张上的投入慢慢的变大。这使得

  链来看,最重要的包含衬底、外延、器件设计、器件制造、封装测试等。从行业市场结构来看,

  巨头抓紧布局 /

  链中成本最高、技术门槛最高的环节之一。近期,受到新能源汽车、光伏和储能等市场的推动,

  商用积累,并在部分高中端电源市场批量应用,逐步向通用市场渗透,具备广阔的市场前景。

  分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)将新型场截止IGBT技术和

  肖特基二极管技术相结合,为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。该器件将传统

  的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(49W/mK)使功率半导体器件效率更加高,工作速度更快

  MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件,大多数表现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面,具体如下

  (silicon carbide,SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐高压、高温,导通电阻低,开关速度快等优点。如何充分发挥

  模组可用于太阳能发电、风力发电、电焊机、电力机车、远距离输电、服务器、家电、电动汽车、充电桩等用途。创能动力于2015

  链介绍 /

  在功率模块中的性能,特别是SEMITRANS 3模块和SEMITOP E2无基板模块。分立器件(如 TO-247)是将

  °C。系统可靠性大大增强,稳定的超快速本体二极管,因此无需外部续流二极管。三、

  化主要以德国英飞凌、美国Cree公司、GE、ST意法半导体体和日本罗姆公司、丰田

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