目前，国内外大多数电力电子功率器件都采用硅基半导体材料，经过几十年的不断改良和优化，其性能已接近硅材料的理论极限。以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料功率器件在各项性能指标上较现有硅基功率器件有飞跃性的提升，凭借其卓越性能而被不断应用于光伏发电、电动汽车、轨道交通和风力发电等领域，引领着电力电子领域的一次技术革命。据Yole多个方面数据显示，全球碳化硅功率器件市场规模预计将从2021年10.9亿美元增长至2027年62.97亿美元，年均复合增长率达34%。

  三安光电股份有限公司成立于2000年，主要是做碳化硅、砷化镓、氮化镓、蓝宝石等半导体新材料、外延、芯片与器件的研发、生产与销售。

  三安光电子公司湖南三安作为国内为数不多的碳化硅垂直产业链制造平台（6英寸），产业链包括长晶-衬作-外延生长-芯片制备-封装，2022年碳化硅产能已达1.2万片/月，二期工程将于2023年贯通，达产后配套年产能将达到50万片。

  2023年6月7日，湖南三安和意法半导体签署《合资协议》，双方将在重庆市设立合资公司“三安意法半导体（重庆）有限公司”，进行8英寸碳化硅器件大规模量产。该合资厂全部建设总额预计约32亿美元，湖南三安持股51%，意法半导体持股49%。项目在取得各项手续批复后开始建设，2025年完成阶段性建设并逐步投产，2028年达产，规划达产后生产8英寸碳化硅晶圆10000片/周。该合资厂将采用意法半导体的碳化硅专利制造工艺技术，制造的碳化硅外延、芯片将独家销售给意法半导体或其指定的任何实体。另外，为满足该合资厂的衬底需求，三安光电也将利用自有碳化硅衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸碳化硅衬造厂，规划产能48万片/年。

  北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年，是一家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业。其前身为中原半导体研究所，始建于1970年，至今有50年历史积淀。

  公司专注于战略新兴半导体的研发与生产，已创新性的解决了高纯碳化硅粉料提纯技术、6英寸碳化硅单晶制备技术、高压低导通电阻SiC SBD、MOSFET结构及工艺设计技术等。目前已完成从碳化硅功能材料生长、功率元器件和模块制备、行业应用开发和解决方案提供等关键领域的全面布局。公司6英寸碳化硅单晶已量产；功率器件和模块制备已覆盖标称电压650-1700V、额定电流5-100A的SiC SBD，标称电压650-1200V、额定电流20-100A的SiC MOSFET，50-600A的全桥、半桥混合功率模块及全碳化硅功率模块等。

  杭州士兰微电子股份有限公司成立于1997年，专门干集成电路芯片设计以及半导体微电子相关这类的产品生产。公司功率半导体产品线对标英飞凌，打造从外延、设计、制造到封测的国内平台型IDM龙头。

  士兰微旗下士兰明镓已完成第一代平面栅SiC MOSFET技术的开发，已将SiC MOSFET芯片封装到汽车主驱功率模块上，并已向客户送样，预计2023年底形成月产6000片6英寸碳化硅芯片的生产能力。2022年10月，士兰微筹划非公开发行募资65亿元，募投项目之一便是用于“碳化硅功率器件生产线日定增获上交所审核通过，达产后将新增年产14.4万片SiC MOSFET/SBD功率半导体器件芯片的生产能力。

  华润微电子有限公司的成立最早可以追溯到1983年，原四机部、七机部、外经贸部和华润集团联合在香港设立的香港华科电子公司。目前，企业具有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化运营能力，产品聚焦于功率半导体、智能传感器领域。

  华润微早在2020年就深度布局了碳化硅，并于当年7月正式向市场投放了1200V和650V工业级SiC SBD功率器件产品系列，同时，其6英寸商用碳化硅晶圆生产线月，华润微正式推出自主研发量产的SiC MOSFET新品，并推出了第二代650V/1200V SiC JBS产品。2022年，华润微碳化硅器件整体销售规模同比增长约2.3倍，待交订单超过1000万元，投片量逐月稳步增加。车规级SiC MOSFET和碳化硅模块研发工作进展顺利，已完成多款SiC MOSFET模块产品出样。华润微给2023年宽禁带半导体的目标是整体销售上亿元。

  泰科天润半导体科技(北京)有限公司成立于2011年，是中国碳化硅功率器件产业化领军企业，专门干碳化硅芯片和碳化硅功率器件的研发与制造，包含各种封装形式的SiC SBD、SiC MOSFET和碳化硅模块，并提供应用解决方案。

  公司总部坐落于北京，在北京和湖南分别拥有4英寸和6英寸碳化硅半导体工艺晶圆生产线英寸碳化硅半导体工艺晶圆生产线年批量面对市场。目前，产线万片/年的碳化硅晶圆片产能。

  嘉兴斯达半导体股份有限公司成立于2005年，专门干以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售服务，基本的产品为功率半导体元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。

  2020年公司投资约2亿元建设全碳化硅功率模组产业化项目，投资建设年产8万颗车规级全碳化硅功率模组生产线亿元，用于投资IGBT和碳化硅芯片项目等。最新进展显示，公司车规级碳化硅模块开始在海外市场小批量供货，另外，使用公司自主芯片的车规级SiC MOSFET模块预计2023年开始在主电机控制器客户批量供货。

  扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2000年，产品线含盖分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模块、碳化硅、整流器件、保护器件、小信号等，为客户提供一揽子产品解决方案。

  扬杰科技采取IDM与Fabless并行，多渠道加速碳化硅产能建设。目前扬杰科技已经向市场推出碳化硅模块及650V SiC SBD、1200V系列SiC SBD全系列新产品，SiC MOSFET已取得关键性进展。

  2023年4月20日，扬杰科技公告计划投资10亿元在江苏扬州建设6英寸碳化硅晶圆产线片/月，后续拟进一步布局6~8英寸碳化硅芯片生产线建设。此外，扬杰科技还通过投资控股湖南楚微半导体，加强完善了公司在晶圆制造上的核心能力，形成了比较完备的晶圆产品制造能力。根据规划，楚微半导体二期建设规划为新增3万片/月的8英寸硅基芯片生产线英寸碳化硅基芯片生产线项目。

  深圳基本半导体有限公司成立于2016年，专门干碳化硅功率器件的研发与产业化。公司掌握碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，核心产品有碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、功率器件驱动芯片等。

  基本半导体自主研发的汽车级碳化硅功率模块已收获了近20家整车厂和Tier1电控客户的定点，成为国内第一批碳化硅模块量产上车的头部企业；采用自研芯片的碳化硅功率器件已累计出货超过3000万颗。

  2023年4月24日，基本半导于深圳的车规级碳化硅芯片产线英寸SiC MOSFET晶圆的能力，二期计划扩产至7.2万片，产线万辆新能源汽车的相关芯片需求。

  闻泰科技股份有限公司成立于2006年，是集研发设计和生产制造于一体的产品集成、基础半导体和光学企业，主要为全球客户提供手机、平板、笔电、服务器、IoT、汽车电子等终端产品研发制造，半导体功率器件、模拟芯片的研发设计、晶圆制造和封装测试，光学模组的研发制造服务。

  闻泰科技旗下安世半导体是全球知名的半导体IDM公司，集芯片设计、晶圆制造和封装测试等全产业链环节于一体，前身是原飞利浦半导体标准产品事业部，拥有60多年半导体研发和制造经验。公司总部在荷兰奈梅亨，晶圆制造工厂在德国汉堡和英国曼彻斯特，封装测试工厂位于中国东莞、菲律宾卡布尧和马来西亚芙蓉。安世半导体产品大范围的使用在全球各类电子设计，丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、GaN场效应晶体管、碳化硅二极管、IGBT以及模拟IC和逻辑IC。

  安世半导体最近已接连发布650V碳化硅二极管、首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET、80V ASFET产品PSMN1R9-80SSE等创新产品，这一些产品的线性模式性能对于高效可靠地管理浪涌电流必不可少，更能满足超高性能、低损耗和高效率的功率半导体需求。

  安徽长飞先进半导体有限公司成立于2018年，专注于碳化硅功率半导体产品研制及制造，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和研发技术能力。可年产6万片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圆、640万只功率模块、1800万只功率单管。目前该公司可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相关产品。

  2023年6月26日，长飞光纤发布了重要的公告称，公司子公司长飞先进拟投资人民币60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目。该项目建设内容有第三代半导体外延、晶圆制造、封测等产线，建设完毕后将形成年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、年产6100万个功率器件模块的能力。

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  天水盛华微波技术有限公司作为高科技非公有制企业，专注于微波能应用设备的研发和制造十年。

  特斯拉和松下的合作伙伴 Redwood Materials 在美国南卡罗来纳州投资的35亿美元的电池回收工厂正式破土动工。

  1月31日，金力股份湖北基地高性能电池隔膜项目贯通暨二期项目开工仪式在湖北省宜昌市枝江市仙女新经济产业园举行。